IBM’in yeni transistörü yeni bir çip sınıfını ortaya çıkarabilir.
IBM, kaynayan nitrojene dayanabilen yeni bir transistör tasarımı gösterdi. IBM’in nanosheet transistör konsepti nihayetinde yeni bir çip sınıfının geliştirilmesine yol açabilir.
- IBM’in konsept nanosheet transistörü, nitrojenin kaynama noktasında neredeyse iki kat performans artışı gösterdi. Bu başarının çeşitli teknolojik ilerlemelerle sonuçlanması ve nanosheet transistörlerin FinFET’lerin yerini almasının önünü açması bekleniyor. Daha da heyecan verici olanı, bunun daha güçlü bir çip sınıfının geliştirilmesine yol açabilecek olması.
IBM’den ilgi çekici başarı
Sıvı nitrojen, yarı iletken üretim sürecinde ısıyı uzaklaştırmak ve kritik süreç alanlarında inert ortamlar oluşturmak için yaygın olarak kullanılıyor. Ancak -196 °C olan kaynama noktasına getirildiğinde, mevcut nanosheet transistör nesli bu tür sıcaklıklara dayanacak şekilde tasarlanmadığı için artık bazı uygulamalarda kullanılamaz oluyorlar. Bu sınırlama talihsiz bir durum çünkü çiplerin böyle bir ortamda performanslarını artırabilecekleri düşünülüyordu. Ancak IBM’in sergilediği konsept nanosheet transistör ile bu olasılık artık gerçekleşebilir.
Konsept transistör, 300 K’lik oda sıcaklığı koşullarına kıyasla nitrojenin kaynama noktasında neredeyse iki kat performans gösteriyor. Hatta yeni transistörde enerji ihtiyacı düşürülerek transistör genişliğinin azaltılabileceği ve dolayısıyla da çip boyutunun küçültülebileceği belirtiliyor. Aslında bu gelişme, çipi aşırı ısıtmadan sıvı nitrojen soğutma ile geliştirilen yeni bir güçlü çip sınıfının ortaya çıkmasına yol açabilir.